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　　类别名称规格用途单质金属主要用于制备化合物半导体、电子致冷元件热电转换元件等主要用于制备化合物半导体，高纯合金，超低温冷却合金，超导材料等主要用于制备化合物半导体，制作还原剂，合金及精密铸件等。化学工业中，用以制造高级化学器皿、铂金坩埚、电极和催化剂。主要用于制备—化合物半导体以及锗、硅、单晶的掺杂剂等。主要用于制备—化合物半导体锗、硅、单晶的掺杂剂等可以用于医药、制革、玻璃、纺织等工业，也可作催化剂、电弧电极等。主要用于制备—族化合物半导体半岛，应用于电子激光，光存贮技术。主要用于制备硒鼓材料，光电材料，静电摄影和光学仪器材料等。金属化合物主要用于制造红玻璃，陶瓷，铋盐，电子元件避雷，隐形器等。主要用于制造玻璃，高纯铟盐，高纯金属铟有机化合物等。主要用于制备二氧化碲单晶，红外器件，声光器件等。广泛用于气敏、压敏、光敏元件，半导体元件，电极材料等。用于化工、电镀等。广泛用于半导体材料、可见光波段光电器件、太阳能电池等。用于制造光电池，整流器，发光油漆等。用于制作红外调制器，红外窗杨致发光器件，光电池等。主要用作颜料、填料重要的荧光材料。应用于半导体元件等。主要用于黄到兰高效发光二极管，磷光剂，红外窗口材料等。用于电子元件制作。用于电子工业，用作薄膜晶体管，液晶平面显示等。主要用作半导体、光导材料，光半岛、电传感器件。主要用于半导体、光导材料和传感器件及蒸镀材料。用作红外探测元件和温差致冷器件。用作红外探测元件和温差致冷器件。碲（Te)5N、6N、7N主要用于制备-族化合物半导体、太阳能电池、热电器转换元件等铋（Bi)5N、6N5N、6N、7N主要用于制备-族化合物半导体、高纯合金、超低温冷却等镉（Cd)5N、6N、7N主要用于制备-族化合物半导体、高纯合金、红外探测器等。锡（Sn）5N、6N、7N锌（Zn)5N、6N铂（Pt)5N、6N、7N5N、6N、7N镓（Ga)5N、6N、7N铈（Ce)5N、6N、7N锑（Sb)5N、6N、7N硒（Se)5N、6N三氧化二铋（Bi2O3)Bi2O3-05级别99.999三氧化二铟（In2O3)In2O3-05级别99.999二氧化碲（TeO2)TeO2-05级别99.999氧化锌（ZnO)ZnO-05级别99.999主要用于制备锌盐，ZnO单晶，气敏、湿敏、光敏材料等。二氧化锡（SnO2)SnO2-05级别99.999氢氧化铟（In(OH)3)In(OH)3-05级别99.999ITO材。硫酸铟（In2(SO4)3)In2O3-05级别99.999多晶硫化镉（CdS)CdS-05级别99.999多晶硒化镉（CdSe)CdSe-05级别99.999多晶碲化镉（CdTe)CdTe-05级别99.999多晶硫化锌（ZnS)ZnS-05级别99.999多晶硒化锌（ZnSe)ZnSe-05级别99.999无水四氯化锡（SnCl4)SnCl4-05级别99.999ITO（In2O3和SnO2)ITO-05级别99.999多晶锑化铟（InSb)InSb-05级别99.999用于制作InSb单晶，光、电半岛、磁、力的传感材料。多晶砷化铟（InAs)InAs-05级别99.999主要用作光导，用于制作InAs单晶及蒸镀材料，。多晶硒化铟（InSe)InSe-05级别99.999多晶碲化铟（InTe)InTe-05级别99.999多晶碲化铅（PbTe)PbTe-05级别99.999PbTe-06级别99.9999二氧化硒（SeO2)SeO2-05级别99.999金属化合物主要用于半导体和红外材料，还可用作萤火、磷光材料。化学试剂，发光材料，场致光源发光剂，用于光源。多晶碲化锌（ZnTe)ZnTe-05级别99.999（Bi2Se3）Bi2Se3-05级别99.999主要用于半导体，光电器件、温差半导体致冷，Bi2Se3薄膜。Bi2Te3-05级别99.999主要用于半导体，光电器件、温差半导体致冷，Bi2Te3薄膜。（InBr3)InBr3-05级别99.999规格化学成分SiSeMgNiPbFeAlCdAgSnCuZnCa总和Te-0599.9990.50.50.50.20.20.20.20.20.110Te-0699.99990.10.050.050.050.10.050.050.010.050.10.1Te-0799.999990.010.0050.0050.0050.010.0050.0050.0010.0010.020.010.1Te含量不少于（Te,min),%杂质，不大于，ppm